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提出一种基于纳米膜涂覆的外包层腐蚀双包层光纤(DCF)复合结构传感器。该结构可以通过调控腐蚀时间和纳米膜涂覆厚度来改变传感器......
该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究.在工艺制作过程中,选用了C轴(0001)......
采用X射线衍射法分析了防眩光玻璃蚀刻过程中生成晶体的种类;用X射线光电子能谱仪比较分析了反应前后玻璃表面化学成分的变化;用光......
电流崩塌效应是限制AlGaN／GaN HFET高输出功率特性的一个重要因素，文中从器件研制的角度研究了AlGaN／GaN HFET的电流崩塌效应。研究结......
介绍了硅尖的制备及其在传感器技术中的应用.硅尖的制备方法可与现代IC工艺兼容且易削尖,故比其它材料微尖更实用.硅尖的应用随着......
金属电阻是影响大尺寸TFT—LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺，发现在完成有源......
ＭＯＣＶＤ用高压汞灯对ｎ－ＧａＮ处延层进行了辐照湿法化学刻蚀研究，这种外延怪是在Ａｌ２Ｏ３衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的。结果表明：在紫外光照下，ｎ－ＧａＮ层在２５％的ＫＯＨ水溶液中腐蚀较有......
隧道型腐蚀扩面技术是制造高比容中高压阳极箔的最经济、最有效的方法．中高压隧道型腐蚀的前处理中添加助剂可以使腐蚀孔分布更加均......
简介了碳纤维复合材料（CFRP）材料表面金属化的工艺过程，采用CrO3-H2SO4溶液对CFRP进行蚀刻处理，通过扫描电镜观测经蚀刻处理后的树脂表......
提出了一种基于面向服务架构（SOA）的分布式开放控制系统模型。整个参考模型由设备抽象层、基本控制模块层、服务层和应用层四层组成......
为了改善PVDF膜对地表水的分离效果,以聚偏氟乙烯（PVDF）为聚合物、聚乙烯吡咯烷酮（PVP-K30）为致孔剂、N,N-二甲基乙酰胺（DMAc）为溶剂配制......
目的:观察脉冲Nd:YAG激光蚀刻牙硬组织后增加与复合树脂结合力的临床效果方法:观察组采用脉冲Nd:YAG激光照射窝洞后进行光固化治疗......
通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析，发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位......
设计了一种简单的掩模,并通过控制蚀刻液的喷淋压力进行了平滑阵列微结构研究。研究发现,蚀刻液喷淋压力对微结构的加工形貌有显著......
针对CrMo钢的脆化问题，选择了一种新的侵蚀剂对其进行晶界腐蚀实验研究，并对影响侵蚀实验的主要因素（苦味酸浓度、硝酸浓度和时间）做了......
文章对PCB阻抗超差问题进行了分析，主要描述了该问题形成的要素和原因．并提出相对应的改善措施。......
采用水溶液法在电沉积的ZnO种子层上制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列．并通过碱溶液化学腐蚀法获得了ZnO纳米管。对ZnO纳米棒和纳米管......
目的测定应用不同氟处理方法对托槽抗剪强度影响对比。方法挑选因正畸需要而拔除的96颗双尖牙，随机分为对照组、酸蚀前加氟组、酸蚀......
研究了高压大电流SF6激光触发开关在使用过程中透镜污染的问题,通过对激光触发开关中被污染透镜透过率的测量、透镜表面附着物的分......
晶体的质量是其元器件制备的关键之一，蚀坑密度（EPD）的观测是检验晶体质量的一个重要方法．用改进的Bridgman法长长出AgGa2-xInxSe2（x=0．2......
穿透硅通孔（Through Si via interconnect）是3D IC集成中的一种重要工艺。钨化学气相淀积在半导体工业中被广泛应用,其在接触孔/通孔......
